抗辐射集成电路设计理论与方法

高武编著

作者高武编著
出版社北京：清华大学出版社
标注页数308 页
文件页数329 页
文件大小56.03 MB
出版时间2018
ISBN9787302505297

内容简介

本书第一部分首先介绍抗辐射集成电路的研究进展、最新的设计理论和发展方向；并讲述辐射环境、辐射效应、辐射环境模拟机效应仿真等的基本概念、基础理论和相关技术；第二部分介绍辐射环境模拟和辐射效应仿真，抗辐射CMOS数字和模拟电路设计方法学；总剂量效应、移位损伤效应和单粒子效应的试验测量和性能评估；第三部分为经典CMOS集成电路的抗辐射加固设计举例，详细介绍前端读出集成电路、ADC、混合信号MCU的设计。

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抗辐射集成电路设计理论与方法