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Silicon MOS field effect transistors using impurity redistribution during oxidation

Silicon MOS field effect transistors using impurity redistribution during oxidation

Chopra, A.; Vadasz, L.

期刊名称Proceedings of the IEEE
作者Chopra, A.; Vadasz, L.
卷第52卷
期第8期
印刷ISSN0018-9219
文件大小177.47KB
发表时间1964
DOI10.1109/PROC.1964.3212
页码985-986

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