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Electron Barriers in Al-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>-SnTe and Al-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>-GeTe Tunnel Junctions

Electron Barriers in Al-Al2O3-SnTe and Al-Al2O3-GeTe Tunnel Junctions

Chang, L. L.; Stiles, P. J.; Esaki, L.

期刊名称IBM Journal of Research and Development
作者Chang, L. L.; Stiles, P. J.; Esaki, L.
卷第10卷
期第6期
印刷ISSN0018-8646
电子ISSN0018-8646
文件大小272.23KB
发表时间1966-11
DOI10.1147/rd.106.0484
页码484-486

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