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Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodes

Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodes

Card, H C; Rhoderick, E H

期刊名称Journal of Physics D: Applied Physics
作者Card, H C; Rhoderick, E H
卷第4卷
期第10期
印刷ISSN0022-3727
文件大小818.03KB
发表时间1971-10-1
DOI10.1088/0022-3727/4/10/319
页码1589-1601

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