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Noise characteristics of ion-implanted MOS transistors

Noise characteristics of ion-implanted MOS transistors

K. Nakamura; O. Kudoh; M. Kamoshida
  • 作者K. Nakamura; O. Kudoh; M. Kamoshida
  • 文件大小610.48KB
  • 发表时间1975
  • DOI10.1063/1.321970
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