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High-temperature hall effect in epitaxial doped gallium arsenide

High-temperature hall effect in epitaxial doped gallium arsenide

V. I. Khokhlov; S. A. Dvoretskii; Yu. G. Sidorov

作者V. I. Khokhlov; S. A. Dvoretskii; Yu. G. Sidorov
卷第30卷
期第1期
印刷ISSN1862-6319
文件大小364.43KB
发表时间1975
DOI10.1002/pssa.2210300105
页码53-58

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