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Size effects in MoSi2-gate MOSFET’s

Size effects in MoSi2-gate MOSFET’s

Chow, T. P.; Steckl, A. J.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Chow, T. P.; Steckl, A. J.
卷第36卷
期第4期
印刷ISSN0003-6951
文件大小453.33KB
发表时间1980
DOI10.1063/1.91468

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