Growth of gallium antimonide epitaxial layers on indium arsenide substrates
Dr. L. D. Pramatarova; Dr. D. N. Tretjakov
- 作者Dr. L. D. Pramatarova; Dr. D. N. Tretjakov
- 卷第16卷
- 期第9期
- 印刷ISSN0232-1300
- 电子ISSN1521-4079
- 文件大小347.38KB
- 发表时间1981
- DOI10.1002/crat.19810160907
- 页码995-1000