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A study of Ar implantation induced defects in SiO2

A study of Ar implantation induced defects in SiO2

R.A.B. Devine; F. Ferrieu; A. Golanski

作者R.A.B. Devine; F. Ferrieu; A. Golanski
印刷ISSN0167-5087
文件大小418.90KB
发表时间1983
DOI10.1016/0167-5087(83)90939-0
页码1201-1206

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