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Low-temperature exciton trapping on interface defects in semiconductor quantum wells

Low-temperature exciton trapping on interface defects in semiconductor quantum wells

Bastard, G.; Delalande, C.; Meynadier, M. H.; Frijlink, P. M.; Voos, M.
  • 期刊名称Physical Review B
  • 作者Bastard, G.; Delalande, C.; Meynadier, M. H.; Frijlink, P. M.; Voos, M.
  • 卷第29卷
  • 期第12期
  • 印刷ISSN0163-1829
  • 文件大小189.94KB
  • 发表时间1984-6-15
  • DOI10.1103/PhysRevB.29.7042
  • 页码7042-7044
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