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Characteristics and Scaling Properties of N-P-N Transistors with a Sidewall Base Contact Structure

Characteristics and Scaling Properties of N-P-N Transistors with a Sidewall Base Contact Structure

Nakazato, K.; Nakamura, T.; Okabe, T.; Nagata, M.

作者Nakazato, K.; Nakamura, T.; Okabe, T.; Nagata, M.
卷第20卷
期第1期
文件大小741.44KB
发表时间1985
DOI10.1109/jssc.1985.1052300
页码248-252

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