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Damage recovery and dopant activation phenomena in heavily arsenic-implanted silicon

Damage recovery and dopant activation phenomena in heavily arsenic-implanted silicon

G.F. Cerofolini; P. Manini; L. Meda; G.U. Pignatel; G. Queirolo; A. Garulli; E. Landi; S. Solmi; F. Nava; G. Ottaviani; M. Gallorini
  • 作者G.F. Cerofolini; P. Manini; L. Meda; G.U. Pignatel; G. Queirolo; A. Garulli; E. Landi; S. Solmi; F. Nava; G. Ottaviani; M. Gallorini
  • 卷第129卷
  • 印刷ISSN0040-6090
  • 文件大小1512.90KB
  • 发表时间1985
  • DOI10.1016/0040-6090(85)90100-2
  • 页码111-125
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