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Ultra-shallow high-concentration boron profiles for CMOS processing

Ultra-shallow high-concentration boron profiles for CMOS processing

Carey, P.G.; Sigmon, T.W.; Press, R.L.; Fahlen, T.S.
  • 期刊名称IEEE Electron Device Letters
  • 作者Carey, P.G.; Sigmon, T.W.; Press, R.L.; Fahlen, T.S.
  • 卷第6卷
  • 期第6期
  • 印刷ISSN0741-3106
  • 文件大小278.74KB
  • 发表时间1985-06
  • DOI10.1109/edl.1985.26129
  • 页码291-293
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