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MOCVD GaAs growth on Ge (100) and Si (100) substrates

MOCVD GaAs growth on Ge (100) and Si (100) substrates

K. Mizuguchi; N. Hayafuji; S. Ochi; T. Murotani; K. Fujikawa

作者K. Mizuguchi; N. Hayafuji; S. Ochi; T. Murotani; K. Fujikawa
卷第77卷
印刷ISSN0022-0248
文件大小518.95KB
发表时间1986
DOI10.1016/0022-0248(86)90345-3
页码509-514

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