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Experimental 3C-SiC MOSFET

Kondo, Y.; Takahashi, T.; Ishi, K.; Hayashi, Y.; Sakuma, E.; Misawa, S.; Daimon, H.; Yamanaka, M.; Yoshida, S.

期刊名称IEEE Electron Device Letters
作者Kondo, Y.; Takahashi, T.; Ishi, K.; Hayashi, Y.; Sakuma, E.; Misawa, S.; Daimon, H.; Yamanaka, M.; Yoshida, S.
卷第7卷
期第7期
印刷ISSN0741-3106
文件大小282.08KB
发表时间1986-07
DOI10.1109/edl.1986.26417
页码404-406