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Fabrication of inversion-type n-channel MOSFET's using cubic-SiC on Si

Fabrication of inversion-type n-channel MOSFET's using cubic-SiC on Si

Shibahara, K.; Saito, T.; Nishino, S.; Matsunami, H.; Matsunami, H.
  • 期刊名称IEEE Electron Device Letters
  • 作者Shibahara, K.; Saito, T.; Nishino, S.; Matsunami, H.; Matsunami, H.
  • 卷第7卷
  • 期第12期
  • 印刷ISSN0741-3106
  • 文件大小245.47KB
  • 发表时间1986-12
  • DOI10.1109/edl.1986.26522
  • 页码692-693
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