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Deuteron channeling for defect analysis of silicon carbide

Deuteron channeling for defect analysis of silicon carbide

I. Nashiyama; T. Nishijima; E. Sakuma; S. Yoshida

作者I. Nashiyama; T. Nishijima; E. Sakuma; S. Yoshida
卷第33卷
印刷ISSN0168-583X
文件大小434.40KB
发表时间1988
DOI10.1016/0168-583x(88)90639-8
页码599-602

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