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Growth mechanism for molecular-beam epitaxy of group-IV semiconductors

Growth mechanism for molecular-beam epitaxy of group-IV semiconductors

Clarke, Shaun; Vvedensky, Dimitri D.

期刊名称Physical Review B
作者Clarke, Shaun; Vvedensky, Dimitri D.
卷第37卷
期第11期
印刷ISSN0163-1829
文件大小450.79KB
发表时间1988-4-15
DOI10.1103/PhysRevB.37.6559
页码6559-6562

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