Non‐western science, past and present
- 期刊名称Science as Culture
- 作者Levidow, Les
- 卷第1卷
- 期第3期
- 印刷ISSN0950-5431
- 电子ISSN1470-1189
- 文件大小1070.04KB
- 发表时间1988-01
- DOI10.1080/09505438809526214
- 页码101-117
Recording Bessel-like beam shapes generated by plasmonics lensChang, C. K.; Yu, Y. Y.; Lai, M. W.; Yeh, J. T.; Liu, J. M.; Yeh, C. S.; Lee, C. K. · oe/17/16/oe-17-16-13946.pdf · 2009
Enhancing intensity of emitted light from a ring by incorporating a circular grooveChang, C. K.; Lin, D. Z.; Chang, Y. C.; Lin, M. W.; Yeh, J. T.; Liu, J. M.; Yeh, C. S.; Lee, C. K. · oe/15/23/oe-15-23-15029.pdf · 2007
[IEEE 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2013.12.9-2013.12.11)] 2013 IEEE International Electron Devices Meeting - A 16nm FinFET CMOS technology for mobile SoC and computing applicationsWu, Shien-Yang; Lin, C. Y.; Chiang, M. C.; Liaw, J. J.; Cheng, J. Y.; Yang, S. H.; Liang, M.; Miyashita, T.; Tsai, C. H.; Hsu, B. C.; Chen, H. Y.; Yamamoto, T.; Chang, S. Y.; Chang, V. S.; Chang, C. H.; Chen, J. H.; Chen, H. F.; Ting, K. C.; Wu, Y. K.; Pan, K. H.; Tsui, R. F.; Yao, C. H.; Chang, P. R.; Lien, H. M.; Lee, T. L.; Lee, H. M.; Chang, W.; Chang, T.; Chen, R.; Yeh, M.; Chen, C. C.; Chiu, Y. H.; Chen, Y. H.; Huang, H. C.; Lu, Y. C; Chang, C. W.; Tsai, M. H.; Liu, C. C.; Chen, K. S.; Kuo, C. C.; Lin, H. T.; Jang, S. M.; Ku, Y. · 2013
Rapid diagnosis of tuberculosis directly from clinical specimens using a gene chipH. J. Chang; M. Y. Huang; C. S. Yeh; C. C. Chen; M. J. Yang; C. S. Sun; C. K. Lee; S. R. Lin · 2010
Nitride-Based ultraviolet metal-semiconductor-metal photodetectors with a low-temperature GaN layerJ. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai · 2003
Impact of gallium implant for advanced CMOS halo/pocket optimizationY. Chin; C. Yang; T. Lee; S. Yeh; W. Chang; S. Huang; N. Yang; C. Chien; J. Lin; G. Li; J. Wu; B. Guo; B. Colombeau; T. Thanigaivelan; N. Pradhan; T. Wu; M. Hou; S. Chen; C. Chung; T. Toh; D. Kouzminov; D. Barrett; K. Shim · 2014
[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - 5nm CMOS Production Technology Platform featuring full-fledged EUV, and High Mobility Channel FinFETs with densest 0.021µm <sup>2</sup> SRAM cells for Mobile SoC and High Performance Computing ApplicationsYeap, Geoffrey; Chen, X.; Yang, B. R.; Lin, C. P.; Yang, F. C.; Leung, Y. K.; Lin, D. W.; Chen, C. P.; Yu, K. F.; Chen, D. H.; Chang, C. Y.; Lin, S. S.; Chen, H. K.; Hung, P.; Hou, C. S.; Cheng, Y. K.; Chang, J.; Yuan, L.; Lin, C. K.; Chen, C. C.; Yeo, Y. C.; Tsai, M. H.; Chen, Y. M.; Lin, H. T.; Chui, C. O.; Huang, K. B.; Chang, W.; Lin, H. J.; Chen, K. W.; Chen, R.; Sun, S. H.; Fu, Q.; Yang, H. T.; Shang, H. L.; Chiang, H. T.; Yeh, C. C.; Lee, T. L.; Wang, C. H.; Shue, S. L.; Wu, C. W.; Lu, R.; Lin, W. R.; Wu, J.; Lai, F.; Wang, P. W.; Wu, Y. H.; Tien, B. Z.; Huang, Y. C.; Lu, L. C.; He, Jun; Ku, Y.; Lin, J.; Cao, M.; Chang, T. S.; Jang, S. M.; Lin, H. C.; Peng, Y. C.; Sheu, J. Y.; Wang, M. · 2019