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Ground State and Electronic Properties of Silicon Carbide and Boron Nitride

Ground State and Electronic Properties of Silicon Carbide and Boron Nitride

P. E. Van Camp; V. E. Van Doren; J. T. Devreese

作者P. E. Van Camp; V. E. Van Doren; J. T. Devreese
卷第146卷
期第2期
印刷ISSN0370-1972
电子ISSN1521-3951
文件大小682.48KB
发表时间1988
DOI10.1002/pssb.2221460218
页码573-587

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