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PLASMA ANODISATION OF SILICON FOR ADVANCED VLSI

PLASMA ANODISATION OF SILICON FOR ADVANCED VLSI

TAYLOR, S.; ECCLESTON, W.; RINGNALDA, J.; MAHER, D. M.; EAGLESHAM, D. J.; HUMPHREYS, C. J.; GODFREY, D. J.
  • 期刊名称Le Journal de Physique Colloques
  • 作者TAYLOR, S.; ECCLESTON, W.; RINGNALDA, J.; MAHER, D. M.; EAGLESHAM, D. J.; HUMPHREYS, C. J.; GODFREY, D. J.
  • 卷第49卷
  • 印刷ISSN0449-1947
  • 文件大小1885.43KB
  • 发表时间1988-09
  • DOI10.1051/jphyscol:1988482
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