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Strain relaxation phenomena in GexSi1−x/Si strained structures

Strain relaxation phenomena in GexSi1−x/Si strained structures

R. Hull; J.C. Bean; D.J. Eaglesham; J.M. Bonar; C. Buescher
  • 作者R. Hull; J.C. Bean; D.J. Eaglesham; J.M. Bonar; C. Buescher
  • 卷第183卷
  • 印刷ISSN0040-6090
  • 文件大小863.35KB
  • 发表时间1989
  • DOI10.1016/0040-6090(89)90437-9
  • 页码117-132
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