Reduction of dislocation density of MBE-grown Si1−xGex layers on (100) Si by rapid thermal annealing
B. Holländer; S. Mantl; W. Jäger; F. Schäffler; E. Kasper
- 作者B. Holländer; S. Mantl; W. Jäger; F. Schäffler; E. Kasper
- 卷第183卷
- 印刷ISSN0040-6090
- 文件大小451.81KB
- 发表时间1989
- DOI10.1016/0040-6090(89)90440-9
- 页码157-164