Caractérisation électronique d'interfaces profondes Al-InP

• 期刊名称Revue de Physique Appliquée
• 作者Barret, C.; Vergand, F.; Maaref, H.; Sénémaud, C.; Bonnelle, C.
• 卷第24卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0035-1687
• 文件大小1360.97KB
• 发表时间1989
• DOI10.1051/rphysap:01989002404043900
• 页码439-446