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Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

Growth of InP, InGaAs, and InGaAsP on InP by gas-source molecular beam epitaxy

H. Asonen; K. Rakennus; K. Tappura; M. Hovinen; M. Pessa

作者H. Asonen; K. Rakennus; K. Tappura; M. Hovinen; M. Pessa
卷第105卷
印刷ISSN0022-0248
文件大小396.27KB
发表时间1990
DOI10.1016/0022-0248(90)90346-m
页码101-105

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