The substrate—epitaxial interface of GaAs and InP grown by GSMBE
K. Tappura; A. Salokatve; K. Rakennus; H. Asonen; M. Pessa
- 作者K. Tappura; A. Salokatve; K. Rakennus; H. Asonen; M. Pessa
- 卷第107卷
- 印刷ISSN0022-0248
- 文件大小113.26KB
- 发表时间1991
- DOI10.1016/0022-0248(91)90614-b
- 页码1070-1071