Interface effects on electrical properties of high purity InP grown by gas-source molecular beam epitaxy

• 作者K. Rakennus; K. Tappura; T. Hakkarainen; H. Asonen; R. Laiho; S.J. Rolfe; J.J. Dubowski
• 卷第110卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0022-0248
• 文件大小398.44KB
• 发表时间1991
• DOI10.1016/0022-0248(91)90648-o
• 页码910-914