发现好书期刊,享受阅读乐趣

海量图书期刊资源,随时随地畅享阅读乐趣

MOSFET capacitance and conductance in the saturation regime

MOSFET capacitance and conductance in the saturation regime

Glasser, L.A.
  • 期刊名称IEEE Electron Device Letters
  • 作者Glasser, L.A.
  • 卷第12卷
  • 期第9期
  • 印刷ISSN0741-3106
  • 电子ISSN1558-0563
  • 文件大小236.24KB
  • 发表时间1991-09
  • DOI10.1109/55.116931
  • 页码500-502
← 返回【学霸图书馆】主页