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Si and GexSi1−x Epitaxial Growth on SOI Structures by Rapid Thermal Processing Chemical Vapor Deposition

Si and GexSi1−x Epitaxial Growth on SOI Structures by Rapid Thermal Processing Chemical Vapor Deposition

Hsieh, T. Y.; Jung, K. H.; Kwong, D. L.; Lin, S.; Marcus, H. L.

期刊名称MRS Proceedings
作者Hsieh, T. Y.; Jung, K. H.; Kwong, D. L.; Lin, S.; Marcus, H. L.
卷第224卷
电子ISSN1946-4274
文件大小2704.02KB
发表时间1991-1
DOI10.1557/proc-224-285

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