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Indium desorption during MBE growth of strained InGaAs layers

Indium desorption during MBE growth of strained InGaAs layers

J.-P. Reithmaier; H. Riechert; H. Schlötterer; G. Weimann

作者J.-P. Reithmaier; H. Riechert; H. Schlötterer; G. Weimann
卷第111卷
印刷ISSN0022-0248
文件大小427.85KB
发表时间1991
DOI10.1016/0022-0248(91)91010-8
页码407-412

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