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Fluence dependent concentration of low-energy Ga implanted in Si

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H. Gnaser; J. Steltmann; H. Oechsner; J. Steltmann; H. Oechsner

作者H. Gnaser; J. Steltmann; H. Oechsner; J. Steltmann; H. Oechsner
印刷ISSN0168-583X
文件大小306.47KB
发表时间1993
DOI10.1016/0168-583x(93)96087-s
页码110-114

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