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200 nm gated field emitters

200 nm gated field emitters

Huang, Z.; McGruer, N.E.; Warner, K.
  • 期刊名称IEEE Electron Device Letters
  • 作者Huang, Z.; McGruer, N.E.; Warner, K.
  • 卷第14卷
  • 期第3期
  • 印刷ISSN0741-3106
  • 电子ISSN1558-0563
  • 文件大小292.31KB
  • 发表时间1993-03
  • DOI10.1109/55.215131
  • 页码121-122
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