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Effects of a stress field on boron ion implantation damage in silicon

Effects of a stress field on boron ion implantation damage in silicon

Mis, J. D.; Mader, S. R.; Beshers, D. N.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Mis, J. D.; Mader, S. R.; Beshers, D. N.
  • 卷第74卷
  • 期第4期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小1092.83KB
  • 发表时间1993
  • DOI10.1063/1.354713
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