Studies on the high-frequency properties of 〈111〉, 〈110〉 and 〈100〉 oriented GaAs IMPATT diodes

• 作者S. P. Pati; R. Mukherjee; J. P. Banerjee; S. K. Roy
• 卷第56卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0947-8396
• 电子ISSN1432-0630
• 文件大小463.36KB
• 发表时间1993-04
• DOI10.1007/bf00324358
• 页码375-380