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Abrupt Si/Ge interface formation using atomic hydrogen in Si molecular beam epitaxy

Abrupt Si/Ge interface formation using atomic hydrogen in Si molecular beam epitaxy

G. Ohta; S. Fukatsu; Y. Ebuchi; T. Hattori; N. Usami; Y. Shiraki

作者G. Ohta; S. Fukatsu; Y. Ebuchi; T. Hattori; N. Usami; Y. Shiraki
文件大小328.13KB
发表时间1994
DOI10.1063/1.112481

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