CMOS scaling in the 0.1-µm, 1.X-volt regime for high-performance applications
Shahidi, G. G.; Warnock, J. D.; Comfort, J.; Fischer, S.; McFarland, P. A.; Acovic, A.; Chappell, T. I.; Chappell, B. A.; Ning, T. H.; Anderson, C. J.; Dennard, R. H.; Sun, J. Y.-C.; Polcari, M. R.; Davari, B.
- 期刊名称IBM Journal of Research and Development
- 作者Shahidi, G. G.; Warnock, J. D.; Comfort, J.; Fischer, S.; McFarland, P. A.; Acovic, A.; Chappell, T. I.; Chappell, B. A.; Ning, T. H.; Anderson, C. J.; Dennard, R. H.; Sun, J. Y.-C.; Polcari, M. R.; Davari, B.
- 卷第39卷
- 期第1期
- 印刷ISSN0018-8646
- 电子ISSN0018-8646
- 文件大小1477.38KB
- 发表时间1995-01
- DOI10.1147/rd.391.0229
- 页码229-244