Thermal solid phase epitaxial growth and ion-beam induced crystallisation of Ge+ ion implanted layers in silicon

• 作者P. Songsiriritthigul; G. Holmén
• 卷第120卷
• 印刷ISSN0168-583X
• 文件大小511.24KB
• 发表时间1996
• DOI10.1016/s0168-583x(96)00510-1
• 页码207-211