Mobility enhancement in MBE-grown InxGa1−xAs/In0.52Al0.48As modulation-doped heterostructures

• 作者S.F. Yoon; Y.B. Miao; K. Radhakrishnan; H.L. Duan
• 卷第19卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0749-6036
• 电子ISSN1096-3677
• 文件大小296.86KB
• 发表时间1996
• DOI10.1006/spmi.1996.0019
• 页码159-167