Atomic layer controlled deposition of silicon nitride with self-limiting mechanism
- 期刊名称Applied Physics Letters
- 作者Goto, Hiroshi; Shibahara, Kentaro; Yokoyama, Shin
- 卷第68卷
- 期第23期
- 印刷ISSN0003-6951
- 文件大小396.56KB
- 发表时间1996
- DOI10.1063/1.116566
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