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Using doping superlattices to study transient-enhanced diffusion of boron in regrown silicon

Using doping superlattices to study transient-enhanced diffusion of boron in regrown silicon

Jones, K. S.; Elliman, R. G.; Petravić, M. M.; Kringho̸j, P.
  • 期刊名称Applied Physics Letters
  • 作者Jones, K. S.; Elliman, R. G.; Petravić, M. M.; Kringho̸j, P.
  • 卷第68卷
  • 期第22期
  • 印刷ISSN0003-6951
  • 文件大小264.64KB
  • 发表时间1996
  • DOI10.1063/1.116439
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