Reliable tantalum-gate fully-depleted-SOI MOSFET technology featuring low-temperature processing

• 作者Ushiki, T.; Mo-Chiun Yu; Hirano, Y.; Shimada, H.; Morita, M.; Ohmi, T.
• 卷第44卷
• 期第9期
• 文件大小166.95KB
• 发表时间1997
• DOI10.1109/16.622603
• 页码1467-1472