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Deep electron states in n-type Al-doped ZnS[sub 1−x]Te[sub x] grown by molecular beam epitaxy

Deep electron states in n-type Al-doped ZnS[sub 1−x]Te[sub x] grown by molecular beam epitaxy

Lu, Liwu; Ge, Weikun; Sou, I. K.; Wang, Y.; Wang, J.; Ma, Z. H.; Chen, W. S.; Wong, G. K. L.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Lu, Liwu; Ge, Weikun; Sou, I. K.; Wang, Y.; Wang, J.; Ma, Z. H.; Chen, W. S.; Wong, G. K. L.
  • 卷第82卷
  • 期第9期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小364.05KB
  • 发表时间1997
  • DOI10.1063/1.366168
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