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Hetero-interface control and atomic layer epitaxy of SiC

Hetero-interface control and atomic layer epitaxy of SiC

Hiroyuki Matsunami; Tomoaki Hatayama; Takashi Fuyuki

作者Hiroyuki Matsunami; Tomoaki Hatayama; Takashi Fuyuki
卷第112卷
印刷ISSN0169-4332
文件大小345.58KB
发表时间1997
DOI10.1016/s0169-4332(96)00985-3
页码171-175

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