Doping of Homoepitaxial GaN Layers

• 作者P. Prystawko; M. Leszczynski; B. Beaumont; P. Gibart; E. Frayssinet; W. Knap; P. Wisniewski; M. Bockowski; T. Suski; S. Porowski
• 卷第210卷
• 期第2期
• 印刷ISSN0370-1972
• 电子ISSN1521-3951
• 文件大小160.60KB
• 发表时间1998
• DOI10.1002/(sici)1521-3951(199812)210:2<437::aid-pssb437>3.0.co;2-l
• 页码437-443