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The formation of GaN dots on Al[sub x]Ga[sub 1−x]N surfaces using Si in gas-source molecular beam epitaxy

The formation of GaN dots on Al[sub x]Ga[sub 1−x]N surfaces using Si in gas-source molecular beam epitaxy

Shen, Xu-Qiang; Tanaka, Satoru; Iwai, Sohachi; Aoyagi, Yoshinobu
  • 期刊名称Applied Physics Letters
  • 作者Shen, Xu-Qiang; Tanaka, Satoru; Iwai, Sohachi; Aoyagi, Yoshinobu
  • 卷第72卷
  • 期第3期
  • 印刷ISSN0003-6951
  • 文件大小492.68KB
  • 发表时间1998
  • DOI10.1063/1.120731
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