Electrical and optical properties of InP grown at different cracking temperature and V/III ratio using a valve phosphorous cracker cell

• 作者S.F Yoon; H.Q Zheng; P.H Zhang; K.W Mah
• 卷第186卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0022-0248
• 文件大小191.16KB
• 发表时间1998
• DOI10.1016/s0022-0248(97)00829-4
• 页码475-479