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Double tunnel junctions for magnetic random access memory devices

Double tunnel junctions for magnetic random access memory devices

Inomata, K.; Saito, Y.; Nakajima, K.; Sagoi, M.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Inomata, K.; Saito, Y.; Nakajima, K.; Sagoi, M.
  • 卷第87卷
  • 期第9期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小301.77KB
  • 发表时间2000
  • DOI10.1063/1.372613
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