Titanium oxide films on Si(100) deposited by electron-beam evaporation at 250 °C
H. K. Jang; S. W. Whangbo; H. B. Kim; K. Y. Im; Y. S. Lee; I. W. Lyo; C. N. Whang; G. Kim; H. Lee; J. M. Lee
- 作者H. K. Jang; S. W. Whangbo; H. B. Kim; K. Y. Im; Y. S. Lee; I. W. Lyo; C. N. Whang; G. Kim; H. Lee; J. M. Lee
- 文件大小570.46KB
- 发表时间2000
- DOI10.1116/1.582275