Dopant dose loss at the Si–SiO[sub 2] interface

H. Vuong; C. S. Rafferty; S. A. Eshraghi; J. Ning; J. R. Mcmacken; S. Chaudhry; J. Mckinley; F. A. Stevie

作者H. Vuong; C. S. Rafferty; S. A. Eshraghi; J. Ning; J. R. Mcmacken; S. Chaudhry; J. Mckinley; F. A. Stevie
文件大小399.26KB
发表时间2000
DOI10.1116/1.591206

发现好书期刊，享受阅读乐趣