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Selective reactive ion etching of GaAs/AlAs in BCl[sub 3]/SF[sub 6] for gate recess

Selective reactive ion etching of GaAs/AlAs in BCl[sub 3]/SF[sub 6] for gate recess

Y. Lee; K. Upadhyaya; K. J. Nordheden; M. Kao

作者Y. Lee; K. Upadhyaya; K. J. Nordheden; M. Kao
文件大小426.76KB
发表时间2000
DOI10.1116/1.1288134

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